Chapter 7 - 磁场中的磁介质
原子与分子的磁矩
对于经典模型的电子来说,其存在轨道磁矩和自旋磁矩两种,其轨道磁矩大小为:
m=IS=e⋅2πrv⋅πr2=2evr
根据电子带负电不难得出,其与轨道角动量 L 之间满足:
m=−2meeL
电子的自旋磁矩与自旋角动量 S 之间满足:
m=−meeS
对于质子和中子,容易得出,质子轨道磁矩表达式与电子的仅相差一个负号,而中子无轨道磁矩
其自旋磁矩为:
m=g2mpeS
其中 g 因子是粒子的固有属性
原子核、分子的磁矩是构成其的质子、中子与电子的磁矩之和
在外磁场中,粒子还会因为拉莫尔进动而产生感生磁矩,方向与原磁场相反
分子电流模型
将分子的磁矩等效于分子电流,分子电流的取向是否有序决定了宏观上物质是否显示出磁性
磁介质的磁化
保持传导电流 I0 不变,在长直密绕螺线管内充满均匀各向同性磁介质后,管内磁场变为:
B=μrB0
其中 μr 是相对磁导率
对于顺磁质,即 μr≈1+,其分子有固有磁矩,因此感生磁矩可忽略,在外磁场作用下,固有磁矩尽可能沿外磁场方向(有分子热运动),显示出微弱的顺磁性
对于逆磁质,即 μr≈1−,其分子没有固有磁矩,在外磁场作用下,感生磁矩与外磁场方向相反,显示出微弱的逆磁性
磁化强度
定义磁化强度矢量为,单位体积中分子磁矩的矢量和,即:
M=ΔV∑m
ΔV 宏观上远小于介质的非均匀尺度,但是微观上远大于分子间距
实验表明,对于各向同性线性磁介质,满足:
M=μ01⋅1+χmχmB=μrμ0μr−1B
其中 χm=μr−1 称为磁化率
不适用于铁介质,即 μr>>1
磁化电流
在外磁场中,顺磁 / 抗磁介质与圆电流产生的感生磁矩与外磁场方向相同 / 相反;但是表面上有小的圆电流未被抵消,总体效果为表面上有一层电流流过;该电流被称为束缚电流或磁化电流
定量分析
穿过以 L 为边界的任一曲面 S(L 和 S 成右手关系)的磁化电流为:
I′=∮LM⋅dl
根据 stokes 公式有:
j′=∇×M
在介质表面,可以证明面电流密度为:
i=M×en
有磁介质时磁场规律
高斯定理与安培环路定理仍然成立,但是由于磁场是由传导电流和磁化电流共同形成,因此直接使用并不方便(类似电场),进行修正:
∮LB⋅dl=μ0(I′+∑I0)=μ0(∮LM⋅dl+∑I0)
化简得到:
∮L(μ0B−M)⋅dl=∑I0
定义磁场强度为:
H=μ0B−M
得到 H 的环路定理:
∮LH⋅dl=∑I0
根据 stokes 定理有:
∇×H=j0
磁化强度有自己的单位奥斯特 Oe,满足:
1Oe=4π103A/m
类似电场,对于各向同性线性磁介质,可以得到磁场强度、磁化强度、磁感应强度之间的关系:
BM=μ0μrH=μH=(μr−1)H
其中 μ=μ0μr 称为磁导率
据此可以证明:对均匀各向同性介质,不论其磁化是否均匀,体内传导电流为零处,磁化电流必然为零
磁场的界面关系
- 法向关系:
(B1−B2)⋅en=0⟹B1n=B2n
其中 en 由介质 2 指向介质 1
- 切向关系:
H1⋅et=H2⋅et⟹H1t=H2t
其中 et 沿分界面切向
- 对于各项同性介质,若 i0=0,可以由几何关系得到:
tanθ2tanθ1=μ2μ1