Chapter 0xffff - 知识总结

常见带电体电场与电势

带电体类型 电场强度 E\overrightarrow{E} 电势 φ(r)\varphi(r) 备注
点电荷 q4πε0r2er\dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r^2} \vec{e}_r q4πε0r\dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r} 无穷远处电势为 0
电偶极子 14πε0r3[3(pr)rr2p]\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0r^3} \left[ \dfrac{3(\vec{p} \cdot \vec{r})\vec{r}}{r^2} - \vec{p} \right] pr4πε0r3\dfrac{\vec{p} \cdot \vec{r}}{4\pi\varepsilon_0 r^3} p\vec{p} 为电偶极矩
点电荷系 iqi4πε0rri3(rri)\sum\limits_i \dfrac{q_i}{4\pi\varepsilon_0 |\vec{r} - \vec{r_i}|^3} (\vec{r} - \vec{r_i}) iqi4πε0rri\sum\limits_i \dfrac{q_i}{4\pi\varepsilon_0 |\vec{r} - \vec{r_i}|} qiq_i 为第 ii 个点电荷
均匀带电薄球壳 {q4πε0r2err>R0rR\begin{cases} \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r^2} \vec{e}_r & r > R \\[1em] 0 & r \leq R \end{cases} {q4πε0rr>Rq4πε0RrR\begin{cases} \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r} & r > R \\[1em] \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 R} & r \leq R \end{cases} RR 为球壳半径
均匀带电球体 {q4πε0r2err>Rqr4πε0R3err<R\begin{cases} \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r^2} \vec{e}_r & r > R \\[1em] \dfrac{q r}{4\pi\varepsilon_0 R^3} \vec{e}_r & r < R \end{cases} {q4πε0rr>Rq4πε0R(32r22R2)rR\begin{cases} \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 r} & r > R \\[1em] \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 R} \left( \dfrac{3}{2} - \dfrac{r^2}{2R^2} \right) & r \leq R \end{cases} RR 为球体半径
均匀带电细圆环 qx4πε0(x2+R2)3/2ex\dfrac{q x}{4\pi\varepsilon_0 (x^2 + R^2)^{3/2}} \vec{e_x} φ(x)=q4πε0x2+R2\varphi(x) = \dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 \sqrt{x^2 + R^2}} 轴线上电场,xx 为轴线上距离
无限大均匀带电平面 σ2ε0en\dfrac{\sigma}{2\varepsilon_0} \vec{e}_n φ(x)=σ2ε0x\varphi(x) = -\dfrac{\sigma}{2\varepsilon_0} |x| σ\sigma 为面电荷密度,平面处电势为零
均匀带电圆环 σx2ε0(1x2+R121x2+R22)ex\dfrac{\sigma x}{2\varepsilon_0} \left( \dfrac{1}{\sqrt{x^2 + R_1^2}} - \dfrac{1}{\sqrt{x^2 + R_2^2}} \right) \vec{e_x} φ(x)=σ2ε0(x2+R22x2+R12)\varphi(x) = \dfrac{\sigma}{2\varepsilon_0} \left( \sqrt{x^2 + R_2^2} - \sqrt{x^2 + R_1^2} \right) 轴线上电场,xx 为轴线上距离,R1,R2R_1, R_2 为圆环内外径
无限长均匀带电直线 λ2πε0rer\dfrac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 r} \vec{e}_r λ2πε0lnr0r\dfrac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0} \ln \dfrac{r_0}{r} λ\lambda 为线电荷密度,r0r_0 处电势为 0
无限长均匀带电薄圆筒 {λ2πε0rerr>R0rR\begin{cases} \dfrac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 r} \vec{e}_r & r > R \\[1em] 0 & r \leq R \end{cases} {λ2πε0lnRrr>R0r<R\begin{cases} \dfrac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0} \ln \dfrac{R}{r} & r > R \\[1em] 0 & r < R \end{cases} 中心轴线处电势为零
无限长均匀带电圆柱 {ρR22ε0rerr>Rρr2ε0errR\begin{cases} \dfrac{\rho R^2}{2\varepsilon_0 r} \vec{e}_r & r > R \\[1em] \dfrac{\rho r}{2\varepsilon_0} \vec{e}_r & r \leq R \end{cases} {ρR24ε0(1+2lnRr)r>Rρr24ε0rR\begin{cases} \dfrac{\rho R^2}{4\varepsilon_0} \left( - 1 + 2\ln\dfrac{R}{r} \right) & r > R \\[1em] - \dfrac{\rho r^2}{4\varepsilon_0} & r \leq R \end{cases} 中心轴线处电势为零
无限长均匀带电圆筒 {ρ(R22R12)2ε0rerr>R2ρ(r2R12)2ε0rerR1<r<R20r<R1\begin{cases} \dfrac{\rho (R_2^2 - R_1^2)}{2\varepsilon_0 r} \vec{e}_r & r > R_2 \\[1em] \dfrac{\rho (r^2 - R_1^2)}{2\varepsilon_0 r} \vec{e}_r & R_1 < r < R_2 \\[1em] 0 & r < R_1 \end{cases} {ρ4ε0(R12R222R12lnR1r+2R22lnR2r)r>R2ρ4ε0(R12r22R12lnR1r)R1<r<R20r<R1\begin{cases} \dfrac{\rho}{4\varepsilon_0} \left( R_1^2 - R_2^2 - 2R_1^2 \ln \dfrac{R_1}{r} + 2R_2^2\ln\dfrac{R_2}{r} \right) & r > R_2 \\[1em] \dfrac{\rho}{4\varepsilon_0} \left( R_1^2 - r^2 - 2R_1^2 \ln \dfrac{R_1}{r} \right) & R_1 < r < R_2 \\[1em] 0 & r < R_1 \end{cases} 中心轴线处电势为零

典型电流分布的磁场

电流分布 磁场(默认是大小) 备注
有限长直螺线管 Bin=μ0nI(cosθ1cosθ2)B_{\text{in}} = \mu_0 nI\left(\cos \theta_1 - \cos\theta_2\right)
Bout=0B_\text{out} = 0
nn 为单位长度匝数,θ1,θ2\theta_1, \theta_2 是导线两端点到场点的径矢
与电流方向的夹角
无限长直螺线管或螺绕环 Bin=μ0nIB_{\text{in}} = \mu_0 nI
Bout=0B_\text{out} = 0
nn 为单位长度匝数
一段载流直导线 B(r)=μ0I4πr(cosθ1cosθ2)B(r) = \dfrac{\mu_0 I}{4\pi r}(\cos \theta_1 - \cos \theta_2) θ1,θ2\theta_1, \theta_2 是导线两端点
到场点的径矢与电流方向的夹角
无限长载流直导线 B(r)=μ0I2πrB(r) = \dfrac{\mu_0 I}{2\pi r} θ10,θ2π\theta_1\to 0\quad, \theta_2\to \pi
圆电流线圈 {BO=μ0I2RBcen=μ0IS2π(R2+x2)3/2\begin{cases}B_{O} = \dfrac{\mu_0 I}{2R} \\ B_\text{cen} = \dfrac{\mu_0 I S}{2\pi(R^2 + x^2)^{3/2}}\end{cases} RR 为线圈半径,SS 为线圈面积
xx 为场点到圆心的距离
磁矩(微小电流圈) B=μ04πr3[3(rm)rr2m]\overrightarrow{B} = \dfrac{\mu_0}{4\pi r^3}\left[\dfrac{3\left(\vec{r}\cdot\vec{m}\right)\vec{r}}{r^2} - \vec{m}\right] r\vec{r} 为场点到圆心的径矢
无限大均匀平面 B=μ0i2B = \dfrac{\mu_0 i}{2} ii 是面电流密度大小
即面上通过垂直于电流方向
的单位长度上的电流
无限长均匀载流薄圆筒 {Bin=0Bout=μ0I2πr=μ0i\begin{cases}B_{\text{in}} = 0 \\ B_\text{out} = \dfrac{\mu_0 I}{2\pi r} = \mu_0 i\end{cases} rr 为圆筒半径

公式大全

光的干涉

光源相干性

  • 波列长度

    L=τc=λ2ΔλL = \tau \cdot c = \frac{\lambda^2}{\Delta \lambda}

光的相干性

  • 场强表达式

    Ei=Ei0cos(ωtkri+φi0),k=ωc=2πλE_i = E_{i0}\cos\left(\omega t - kr_i + \varphi_{i0}\right),\quad k = \dfrac{\omega}{c} = \dfrac{2\pi}{\lambda}

  • 合振幅平方

    E02=E102+E202+2E10E20cosΔφE_0^2 = E_{10}^2 + E_{20}^2 + 2E_{10}E_{20}\cos\Delta\varphi

  • 相位差

    Δφ=k(r2r1)+(φ20φ10)\Delta \varphi = -k(r_2 - r_1) + (\varphi_{20} - \varphi_{10})

  • 光强公式

    I=I1+I2+2I1I2cosΔφI = I_1 + I_2 + 2\sqrt{I_1I_2}\overline{\cos\Delta\varphi}

  • 衬比度

    V=ImaxIminImax+IminV = \frac{I_{\max} - I_{\min}}{I_{\max} + I_{\min}}

双缝干涉

  • 波程差近似

    δ=r2r1dsinθdtanθ=dxD\delta = r_2 - r_1 \approx d\sin\theta\approx d\tan\theta = d\cdot\frac{x}{D}

  • 相位差与波程差关系

    Δφ=δ2πλ\Delta \varphi = \delta\cdot\frac{2\pi}{\lambda}

  • 明暗条纹位置

    明纹x±k=±kDλdkN暗纹x±(k+1/2)=±(k+12)Dλd\begin{align*} &\text{明纹}\quad x_{\plusmn k} = \plusmn \frac{kD\lambda}{d} \quad k \in \mathbb{N}\\ &\text{暗纹}\quad x_{\plusmn (k + 1/2)} = \plusmn \left(k + \frac{1}{2}\right) \frac{D\lambda}{d} \end{align*}

  • 条纹间距

    Δx=Ddλ\Delta x = \frac{D}{d}\lambda

  • 光强分布

    I=4I0cos2Δφ2=4I0cos2πδλ=4I0cos2(xdλDπ)I = 4I_0\cos^2\frac{\Delta\varphi}{2} = 4I_0\cos^2\frac{\pi\delta}{\lambda} = 4I_0\cos^2\left(\frac{x d}{\lambda D} \cdot \pi\right)

时间相干性

  • 最大相干级次

    kM=λΔλk_M = \frac{\lambda}{\Delta\lambda}

  • 相干长度

    δM=kMλ=λ2Δλ\delta_M = k_M\lambda = \frac{\lambda^2}{\Delta\lambda}

空间相干性

  • 光源极限宽度

    b0=Rdλb_0 = \frac{R}{d}\lambda

  • 相干间隔

    d0=Rbλd_0 = \frac{R}{b}\lambda

  • 相干孔径角

    θ0d0R=λb\theta_0 \approx \frac{d_0}{R} = \frac{\lambda}{b}

光程

  • 光程定义

    L=nrL = nr

  • 相位差与光程差关系

    Δφ=ΔL2πλ\Delta \varphi = \Delta L\cdot\frac{2\pi}{\lambda}

薄膜干涉

  • 光程差一般式

    δ2necosr+λ2=2en2n2sin2i+λ2\delta \approx 2ne\cos r + \frac{\lambda}{2} = 2e\sqrt{n^2 - n'^2\sin^2 i} + \frac{\lambda}{2}

  • 正入射简化式

    δ2ne+λ2\delta \approx 2ne + \frac{\lambda}{2}

劈尖
  • 厚度差与条纹间距

    Δe=λ2n    L=Δeθ=λ2nθ\Delta e = \frac{\lambda}{2n} \implies L = \frac{\Delta e}{\theta} = \frac{\lambda}{2n\theta}

牛顿环
  • 厚度-半径关系

    er22Re\approx \frac{r^2}{2R}

  • 明暗环半径

    明环rk=(2k1)Rλ2kN+暗环rk=kRλkN\begin{align*} &\text{明环}\quad r_k = \sqrt{\frac{(2k - 1)R\lambda}{2}} \quad k \in \mathbb{N}^{+}\\ &\text{暗环}\quad r_k = \sqrt{kR\lambda} \quad k \in \mathbb{N} \end{align*}

  • 半径差公式

    rk+m2rk2=mRλr_{k+m}^2 - r_k^2 = mR\lambda

等倾干涉
  • 膜厚变化量

    Δe=λ2n\Delta e = \frac{\lambda}{2n}

  • 增透膜厚度

    e=(2k+1)λ4ne,kNe = (2k + 1)\frac{\lambda}{4n_e},\quad k \in \mathbb{N}

  • 理想折射率条件

    ne=nn0n_e = \sqrt{nn_0}

迈克尔孙干涉仪

  • 平移量公式

    ΔD=Nλ2\Delta D = N\cdot\frac{\lambda}{2}

  • 介质插入公式

    2(n1)l=Nλ2(n - 1)l = N\lambda

光的衍射

惠更斯-菲涅尔原理

  • 空间任意点 PP 的振动贡献

dE(P)=a(Q)K(θ)rdScos(ωt2πrλ)\mathrm{d}E(P) = \frac{a(Q)\cdot K(\theta)}{r}\cdot\mathrm{d}S \cdot \cos\left(\omega t - \frac{2\pi r}{\lambda}\right)

单缝夫琅禾费衍射

  • 半波带法

    asinθ=kλ2,kNa\sin\theta = k \cdot \frac{\lambda}{2},\quad k \in \mathbb{N}

    • kk 为奇数时形成明纹
    • kk 为偶数时形成暗纹
    • k=0k = 0 时对应中心明纹
  • 光强分布

    I=I0(sinαα)2,α=πasinθλI = I_0 \cdot \left( \frac{\sin\alpha}{\alpha} \right)^2,\quad \alpha = \frac{\pi a \sin\theta}{\lambda}

  • 中心明纹角宽度

    Δθ0=2λa\Delta\theta_0 = \frac{2\lambda}{a}

  • 中心明纹线宽度

    Δx0=2fλa\Delta x_0 = \frac{2f\lambda}{a}

  • 暗纹位置

    xk=kfλax_k = \frac{kf\lambda}{a}

  • 非中心明纹线宽度

    Δxfλa=12Δx0\Delta x \approx \frac{f\lambda}{a} = \frac{1}{2}\Delta x_0

光栅衍射

  • 主极大条件

    dsinθ=kλ,kNd\sin\theta = k\lambda,\quad k \in \mathbb{N}

  • 暗纹条件

    dsinθ=kNλ,kN, kNd\sin\theta = \frac{k'}{N}\lambda,\quad k' \in \mathbb{N},\ k' \nmid N

  • 主极大半角宽

    Δθ=λNdcosθk\Delta\theta = \frac{\lambda}{Nd\cos\theta_k}

  • 缺级条件

    k=dak,kNk = \frac{d}{a}k',\quad k' \in \mathbb{N}

  • 光强分布

    IP=I0i(sinαα)2(sinNβsinβ)2I_P = I_{0i} \cdot \left( \frac{\sin\alpha}{\alpha} \right)^2 \cdot \left( \frac{\sin N\beta}{\sin\beta} \right)^2

    其中

    α=πasinθλ,β=πdsinθλ\alpha = \frac{\pi a \sin\theta}{\lambda},\quad \beta = \frac{\pi d \sin\theta}{\lambda}

斜入射光栅

  • 主极大

    d(sinθsini)=±kλd(\sin\theta - \sin i) = \pm k\lambda

光学仪器的分辨本领

  • 艾里斑半角宽

    Dsinθ11.22λD\sin\theta_1 \approx 1.22\lambda

  • 最小分辨角

    θmin1.22λD\theta_{\min} \approx 1.22\frac{\lambda}{D}

  • 透镜分辨本领

    R1θminD1.22λR \equiv \frac{1}{\theta_{\min}} \approx \frac{D}{1.22\lambda}

光栅色散本领与分辨本领

  • 角色散本领

    Dθ=kdcosθkD_\theta = \frac{k}{d\cos\theta_k}

  • 色分辨本领

    R=λΔλ=λDθΔθ=NkR = \frac{\lambda}{\Delta\lambda} = \frac{\lambda D_\theta}{\Delta\theta} = Nk

X射线衍射

  • 布拉格公式

    2dsinφ=kλ2d\sin\varphi = k\lambda

光的偏振

光的偏振状态

  • 部分偏振光偏振度计算公式

P=IpIt=IpIp+InP = \frac{I_p}{I_t} = \frac{I_p}{I_p + I_n}

线偏振光的起偏与检偏

  • 马吕斯定律

I=I0sin2αI = I_0 \sin^2\alpha

反射和折射光的偏振

  • 布儒斯特角条件

i0+r0=π2i_0 + r_0 = \frac{\pi}{2}

  • 布儒斯特定律

n1sini0=n2sinr0=n2cosi0    tani0=n2n1n_1\sin i_0 = n_2\sin r_0 = n_2\cos i_0 \implies\tan i_0 = \frac{n_2}{n_1}

双折射现象

  • 主折射率定义

ne=cve,no=cvon_e = \frac{c}{v_e},\quad n_o = \frac{c}{v_o}

椭圆偏振光与圆偏振光

  • 晶片相位差公式

Δφ=2πdλnone|\Delta\varphi| = \frac{2\pi d}{\lambda}\cdot|n_o - n_e|

  • 四分之一波片厚度条件

noned=λ/4|n_o - n_e|d = \lambda / 4

  • 二分之一波片厚度条件

noned=λ/2|n_o - n_e|d = \lambda / 2

  • 全波片厚度条件

noned=λ|n_o - n_e|d = \lambda

  • o光和e光振幅关系

Ao=Ainsinα,Ae=AincosαA_o = A_\text{in}\sin\alpha,\quad A_e = A_\text{in}\cos\alpha

偏振光的干涉

  • 总相位差

Δφ=2πdλnone+π|\Delta\varphi| = \frac{2\pi d}{\lambda}|n_o - n_e| + \pi

  • 相长干涉条件

d=2k1noneλ2d = \frac{2k - 1}{|n_o - n_e|}\frac{\lambda}{2}

  • 相消干涉条件

d=kλnoned = \frac{k\lambda}{|n_o - n_e|}

旋光现象

  • 旋转角度公式

θ=al\theta = al

  • 菲涅尔旋光率公式

a=πλnRnLa = \frac{\pi}{\lambda}|n_R - n_L|


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